人物使用Vishay新款N沟道功率MOSFET打破最低导通电阻记录提升可调直流稳压电源效率
他发布了两款新型40V和60V N沟道TrenchFET功率MOSFET——SiR640DP和SiR662DP。这些器件采用SO-8或PowerPAK SO-8的封装，展现出业界最低的导通电阻以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。在10V和4.5V下，40 V SiR640DP的导通电阻分别为1.7mΩ和2.2mΩ，而在同样条件下，其FOM分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。相比于竞争对手的MOSFET，在4.5V下的导通电阻降低了4%，而在4.5V下的FOM则有15.5%降低。
60 V SiR662DP在10V时其导通电阻为2.7mΩ，在4.5V时为3.5mΩ；其对应的FOM分别为172.8 mΩ-nC 和 105 mΩ-nC。与其他同类MOSFET相比，它们在10V下的导通电阻有3.5%降低，27%更高效；在4.5V下，性能提升明显，有23%及57%之多。此外，这些器件利用新的硅制造技术实现了优化沟槽密度和特殊栅极结构，从而进一步减少开关损耗。
对于设计者来说，更小的传导损耗意味着更高效能，而且尤其是在重载情况下会更加节能。而这些器件所拥有的较低的FOM能够有效地减少高频应用中的开关损耗，无论是在轻负载还是待机模式中都大幅提升系统效率。由于这些器件具有较高频率，它们使得设计者可以同时实现更大的功率密度或者是更绿色的应用方案。
这两款产品适用于DC/DC转换器中的次级侧同步整流、初级侧开关，以及负载点模块、电子驱动、桥式逆变等领域，还可替代机械继電器。这使得它们广泛应用于通信设备、工业自动化、高端游戏机、不间断供電系統(UPS)以及消费品等领域。由于它们支持仅需1个给数字逻辑供电线路（通常是以太网交换机上的标准12伏线路）的操作，因此用户无需再寻找额外空间来安装一个单独用于MOSFET驱动需求（如需要以太网交换机上的标准12伏线路）的心形稳压芯片。
此外，这两款芯片均经过了100% Rg 和 UIS 测试，并且符合IEC61249-2-21 无卤素规定，与RoHS指令2002/95/EC兼容。他现在提供样品，并已经开始量产，大批量订购将享受16周内送货服务。
