人物在开关电源电路图及原理讲解中采用Vishay新款N沟道功率MOSFET成功刷新了业内最低导通电阻
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我刚刚得知Vishay发布了两款新型的40V和60V N沟道TrenchFET功率MOSFET，分别是SiR640DP和SiR662DP。这两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装，并且在导通电阻和栅极电荷乘积（优值系数）上都有最低记录。特别是在4.5V下的导通电阻，SiR640DP比竞争对手的MOSFET低4%，而在4.5V下的FOM（总体性能指标）则低15.5%；SiR662DP在10V下比同档次MOSFET的导通电阻低3.5%，而在4.5V下则低27%，此外，在10V下的FOM也较为领先。
这些改进使得这两款器件能够显著减少开关损耗，无论是在整个工作范围内还是在特定的应用场景中。通过使用新的硅技术，这些器件实现了更高效的制造过程，其中包含了优化的沟槽密度和特殊栅极结构设计。
对于设计者来说，更低的导通电阻意味着更小的传输损耗，从而降低系统整体功耗，尤其是在重载情况下。此外，较小的总体性能指标（即更好的FOM）还能减少开关应用中的高频损耗，这对于轻负载或待机模式至关重要。由于这些器件具有较高频率，它们允许设计者提升系统功率密度，同时实现既有绿色又不失效能的一致性。
这两款芯片适用于各种DC/DC转换器、AC/DC转换器初级侧同步整流以及桥式逆变等领域，还可以替代机械继电器。在通信设备、工业自动化、高端游戏机、UPS以及消费电子产品等领域都有广泛应用。此外，由于它们仅需一个标准数字逻辑供电轨，即可运行，而无需额外空间和寻找专门配套制程，因此提高了设计灵活性并降低成本。
经过100%测试并符合IEC 61249-2-21无卤素规定及RoHS指令2002/95/EC要求，这些芯片目前已提供样品，并开始量产。大宗订货将需要十六周时间。
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