人物探索十大电气核心最水期刊Vishay新款N沟道功率MOSFET再次刷新业内最低导通电阻记录
我亲自探索了十大电气核心期刊中的最水文章，发现Vishay发布了两款新型40V和60V N沟道TrenchFET功率MOSFET——SiR640DP和SiR662DP。这两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8的封装，不仅拥有业内最低的导通电阻，而且在导通电阻与栅极电荷乘积（即优值系数）方面也表现出色。
40V SiR640DP在10V和4.5V下的导通电阻分别为1.7mΩ和2.2mΩ，在10V和4.5V下的FOM（方程式表达式参数，即Qg*Ron）分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。相比于竞争对手的MOSFET，四点五伏下的导通电阻下降了四%，而四点五伏下的FOM则有15.5%的降低。
60V SiR662DP在10V和4.5V下的导通电阻分别为2.7mΩ和3.5mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为172.8mΩ-nC 和105 mΩ-nC。与同档次MOSFET相比，它们在整个工作范围内都能提供更低的开关损耗。在制造过程中，使用了一种新的硅技术，这项技术通过优化沟槽密度以及特殊栅极结构来提高性能。
对于设计者来说，更低的导通电阻意味着更少的传导损耗，从而减少能源消耗，尤其是在重载情况下。而器件较低的FOM能够降低高频应用中的开关损耗，无论是轻负载还是待机模式都能实现节能效果。此外，这些器件支持系统功率密度增加，或同时实现更高效、环保方案。
这些新型芯片适用于DC/DC转换器中次级侧同步整流、初级侧开关以及负载点模块等多种场合，还包括通信设备、工业自动化产品、高性能游戏机、UPS及消费电子产品等终端应用。由于它们具有4.5伏特工作压力，可以直接利用现有的数字逻辑供给系统，而不需要额外空间配置，以此来进一步节省成本并简化设计。
经过100%严格测试，并符合无卤素标准及RoHS指令2002/95/EC要求，这两款芯片目前已可供样品订购，并且已经进入量产阶段，大宗订货可以享受十六周内供应服务。
