Vishay Siliconix发布高效集成DrMOS解决方案用于自然环境下的自制0-30V可调直流
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宾夕法尼亚的Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE代号：VSH）宣布推出一款集成DrMOS解决方案，名为SiC779CD。这个新产品包含了为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC以及自举二极管，全部封装在PowerPAK® MLP 6x6的40脚低外形、热增强型封装中。
SiC779CD工作频率高达1MHz，其效率可达到93%以上。该器件符合服务器和桌面电脑、图形卡、工作站、游戏机以及其他采用CPU的大功率系统中的电压调节器DrMOS 4.0标准。此外，它还具有先进栅极驱动IC，可以接收来自VR的一个PWM输入，并将其转换成高边和低边MOSFET的栅极驱动信号。
此外，该调节器可以使用3V～16V的输入电压进行工作，并且能够输出连续40A的电流。集成功率MOSFET对输出电压0.8V～2.0V进行了优化，而标称输入电压为12V。在5V输出下，可为ASIC应用提供非常高的功率。
驱动IC具备自动检测轻负载情况并开启系统中设计用于在轻负载条件下的跳频模式工作(SMOD)功能。此外，还有主动式失效时间控制，以进一步提高效率。在结温过高时，热告警功能会发出报警信号以保护设备安全。此外，该产品还包括UVLO保护及击穿保护等安全措施。
通过减少功耗并降低与分立级相关寄生阻抗，这种集成设计可以减少损耗并改善瞬态响应，从而实现更高功率密度，同时节省成本。这款产品符合IEC 61249-2-21无卤素规定，并遵守RoHS指令2002/95/EC。目前SiC779CD已开始样品阶段，将于2011年6月进入量产阶段，大宗订货需要十周左右时间到货。
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