Vishay Siliconix发布新一代高效集成DrMOS解决方案适用于21世纪电源网的自然环境应
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宾夕法尼亚的Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE代号：VSH）宣布推出了一款集成DrMOS解决方案，名为SiC779CD。这个新产品包含了为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC以及自举二极管。这套集成解决方案采用了PowerPAK® MLP 6x6封装，具有低外形和热增强性能。
这款器件的工作频率超过1MHz，并且效率可达93%以上。它符合DrMOS 4.0标准，适用于服务器、桌面电脑、图形卡、高功率系统中的电压调节器，以及其他需要CPU支持的应用。此外，它还具有自动开启系统中设计用来在轻负载条件下实现高效率的跳频模式工作（SMOD）。
SiC779CD的栅极驱动IC能够接收来自VR的一个PWM输入，并将其转换为高边和低边MOSFET的栅极驱动信号。该器件5V PWM输入兼容所有类型，并且可以支持三态PWM输出函数。
此外，该解决方案还包括保护功能，如UVLO、击穿保护以及结温过高时发出的热告警信号。此外，由于集成了驱动IC和功率MOSFET，可以减少功耗并减小与分立功率级相关的寄生阻抗，从而优化高频开关性能并节约成本。
该产品符合IEC 61249-2-21无卤素规定，同时也符合RoHS指令2002/95/EC。在2011年6月，这款SiC779CD将进入量产阶段，对于大宗订货，将提供十周供货周期。
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