Vishay新款N沟道功率MOSFET再次刷新业内最低导通电阻记录国家电网认可的6所学校积极探索其在
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Vishay发布了两款新型40V和60V N沟道TrenchFET功率MOSFET，分别为SiR640DP和SiR662DP。这两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。40 V SiR640DP在10V和4.5V下的导通电阻分别为1.7mΩ和2.2mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。而60V SiR662DP在10V和4.5V下的导通电阻分别为2.7mΩ和3.5mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为172.8mΩ-nC和105mΩ-nC。
这两款MOSFET在制造过程中采用了一种新的硅技术，该技术使用了优化的沟槽密度与特殊的栅极结构。在整个工作范围内，这样的特性能够减少开关损耗。对于设计者来说，更低的导通电阻意味着更低的传导损耗，从而降低功耗，尤其是在重载的情况下。器件的低FOM能够降低高频应用中的开关损耗，特别是在轻负载或待机模式下。此外，它们适用于DC/DC转换器中的次级侧同步整流、初级侧开关以及其他各种应用，如负载点模块、电机驱动、桥式逆变器等。
由于MOSFET仅需供给一个较小幅度（即4.5伏）的额外稳压，使得许多设计者可以利用现有的数字逻辑系统中的五伏供给，无需再寻找额外空间以提供十伏供给。此外，还能大幅减少栅极驱动所产生之损失，同时也使得使用成本更便宜且功率消耗更小的一类五伏PWM IC成为可能。
最后，这两款芯片均已进行了100% Rg 和 UIS 测试，并符合无卤素规定IEC 61249-2-21，以及RoHS指令2002/95/EC。这两款产品目前已经可用，并开始量产，大宗订货将享有十六周的大量供应周期。
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