人物使用Vishay新款N沟道功率MOSFET刷新交流恒流源应用中的最低导通电阻记录
• 阅读 0
Vishay发布了两款新型40V和60V N沟道TrenchFET功率MOSFET，分别为SiR640DP和SiR662DP。这些器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装，并且在导通电阻和优值系数方面实现了业界的最低水平。
SiR640DP在10V下具有1.7mΩ的导通电阻，在4.5V下为2.2mΩ，相应的FOM（栅极驱动能力）分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。与竞争对手产品相比，在4.5V下的导通电阻有4%降低，而在4.5V下的FOM则有15.5%降低。
SiR662DP在10V下具有2.7mΩ的导通电阻，在4.5V下为3.5mΩ，相应的FOM分别为172.8mΩ-nC和105mΩ-nC。在10V和4.5V条件下，与同档次MOSFET相比，它们都显示出更低的导通电阻：3.5%和27%，以及较高的开关损耗减少：23%和57%。
这两款新型器件采用了一种新的硅制造技术，这种技术通过提高沟槽密度并使用特殊设计的栅极结构来实现更好的性能。这意味着对于设计者来说，更低的传输损耗可以帮助减少功耗，无论是在重载还是轻负载的情况下。而其较高频率使得设计者能够增加系统中的功率密度，或是同时实现更绿色的应用方案。
这些器件适用于DC/DC转换器中的一级侧同步整流、初级侧开关、负载点模块、电子设备驱动等多种场景。它们特别适用于通信设备、高效工业自动化解决方案以及专业游戏机等终端产品。此外，由于它们可以以仅需数字逻辑供电轨供给即可工作，因此对空间要求不高，而且还能大幅节省成本。
最后，这些芯片经过了100%质量控制测试，并符合无卤素标准IEC 61249-2-21，以及RoHS指令2002/95/EC。此外，它们已经开始提供样品，并且已经进入量产阶段，对于大宗订货，其供货周期约16周。
标签：
数码电器新闻资讯
