人物携带Vishay新款N沟道功率MOSFET打破行业最低导通电阻记录为军用电源模块十大厂家带来革新
他发布了两款新型40V和60V N沟道TrenchFET功率MOSFET——SiR640DP和SiR662DP。这些器件采用SO-8或PowerPAK SO-8的封装，展现出行业最低的导通电阻，并且在导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数方面也表现突出。40 V SiR640DP在10V和4.5V下的导通电阻分别为1.7mΩ和2.2mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。在4.5V下，SiR640DP的导通电阻比竞争对手产品低4%，而在同一条件下其FOM则低15.5%。60 V SiR662DP在10V和4.5V下的导通电阻分别为2.7mΩ和3.5mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为172.8 m ℃ n C 和 105 m ℃ n C。在整个工作范围内，这些器件提供了更低的开关损耗。
这两款MOSFET通过采用新的硅技术制造过程，其制造中使用了优化的沟槽密度以及特殊设计的栅极结构。此外，它们具有更高效率，使得设计师能够降低传输损耗，特别是在重载情况下。此外，由于它们所拥有的较小的栅极驱动损耗，它们可以减少开关应用中的损耗，尤其是在轻负载及待机模式时。
由于这两款芯片都能以仅需一个给数字逻辑供电轨道（通常是标准五伏）即可操作，因此它们非常适合用于通信设备、工业自动化系统以及专业游戏机等应用场景。这使得设计师不需要再寻找额外空间来支持十伏特供货线路，而只需要利用已有系统中现有的五伏端口。
此外，这些芯片还符合IEC 61249-2-21无卤素规定并遵循RoHS指令2002/95/EC。此外，它们进行了100% Rg 和 UIS 测试，以确保性能稳定性。
截至目前，这两个产品已经开始接受样品订单，并且已经进入量产阶段，对于大规模订购客户来说，其交货期约为十六周。
