人物在Vishay新款N沟道功率MOSFET的引领下再次刷新了电气工程领域内最低导通电阻记录取得了令
• 阅读 0
他发布了两款新型40V和60V N沟道TrenchFET功率MOSFET，分别为SiR640DP和SiR662DP。这些器件采用了SO-8或PowerPAK SO-8的封装，并且拥有业界最低的导通电阻以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。在10V和4.5V下，40 V SiR640DP的导通电阻分别为1.7mΩ和2.2mΩ，在同一条件下的FOM分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。而在4.5V下，其导通电阻比竞争对手MOSFET低4%，而FOM则低15.5%。相似地，60V SiR662DP在10V下的导通电阻是2.7mΩ，在4.5V下是3.5mΩ，同时其在10V下的FOM是172.8mΩ-nC，在4.5V下是105mΩ-nC。与竞争对手MOSFET相比，它们在10V下的导通电阻各自减少了3.5%至27%，而在4.5V下的FOM各自降低23%至57%。
这两款器件利用了一种新的硅制造技术，这种技术结合了优化的沟槽密度和特殊栅极结构。这意味着设计者可以获得更高效率、更绿色的系统，同时也能提高系统功率密度。此外，这些器件适用于DC/DC转换器中的次级侧同步整流、初级侧开关等多种应用场景，如通信设备、工业自动化设备以及专业游戏机等。
由于这些MOSFET具有较低的栅极驱动损耗，他们能够直接使用现有的数字逻辑供电轨（通常为5伏），无需额外空间来实现10伏供电轨。此外，还可以使用成本更低、效率更高的PWM IC以进一步降低能源消耗。
为了确保产品质量，他进行了100%的测试，并且符合IEC 61249-2-21无卤素规定，以及RoHS指令2002/95/EC。他已经开始向客户提供样品，并计划于十六周内开始大规模生产。
标签：
数码电器测评
