人物使用Vishay新款N沟道功率MOSFET刷新交流稳压电源领域最低导通电阻记录
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Vishay发布了两款新型40V和60V N沟道TrenchFET功率MOSFET，分别为SiR640DP和SiR662DP。这些器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装，并且在导通电阻和优值系数方面实现了业界的最低水平。
SiR640DP在10V下具有1.7mΩ的导通电阻，在4.5V下为2.2mΩ，相应的FOM（频率、开关损耗乘积）分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。在相同条件下的竞争品中，它们都有显著更好的性能，比如在4.5V下导通电阻降低了4%，FOM则降低了15.5%。
同样地，SiR662DP在10V时有2.7mΩ的导通电阻，在4.5V时为3.5mΩ，对应的FOM分别是172.8mΩ-nC和105mℴnC。与竞争品相比，这些器件表现出了更高效能：在10V下它们可以节省3.5%的能源，而在4.5V时节省27%，并且其开关损耗减少23%至57%。
这些优势归功于制造过程中的新硅技术，该技术提高了沟槽密度并设计了一种特殊栅极结构。这意味着设计师可以通过减少传输损耗来降低功耗——尤其是在重载情况下。而较小的FOM则使得高频应用中的开关损耗进一步减少，从而产生更多绿色解决方案。
由于高频特性，这些MOSFET适用于DC/DC转换器、AC/DC转换器以及各种电子设备。此外，由于它们能够运行于仅需一个数字逻辑供电轨供给系统，而且对于使用成本更便宜、高效驱动IC来说非常理想。此外，它们还符合IEC 61249-2-21无卤素规定及RoHS指令2002/95/EC要求。
目前这两款芯片已可获得样本，并已经进入量产阶段，大宗订货需要16周时间。
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