电源厂家Vishay Siliconix推出新一代高效集成DrMOS解决方案适用于工作频率超过1MH
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宾夕法尼亚的MALVERN，2011年5月10日—Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE代码：VSH）宣布推出了名为SiC779CD的集成DrMOS解决方案，该方案包括具有PWM优化功能的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC以及自举二极管。这些器件能够在工作频率超过1MHz的情况下，效率达到93%以上，并且它们都被集成在了PowerPAK® MLP 6x6封装中，这是一个有助于散热并保持外形小巧的设计。
新的SiC779CD完全符合针对服务器、桌面电脑、图形卡、工作站和游戏机等高功率系统电源调节器所需的DrMOS 4.0标准。此外，它还能支持所有类型的3V到16V输入电压，并且能够输出40A持续电流。该解决方案提供了0.8V到2.0V之间输出电压，以及12V标称输入电压，从而使其非常适合ASIC应用。
此外，驱动IC内置了一种自动检测轻负载情况并开启跳频模式(SMOD)以实现更高效率的手段，还有一种主动失效时间控制，以确保在所有负载点上都能获得最高效率。此外，该解决方案还包含了UVLO保护、高温告警和击穿保护等多种安全措施。
通过将驱动IC与功率MOSFET集成，可以减少功耗并降低与高频分立级相关的寄生阻抗。这使得设计者可以进行更好的开关优化，以改善瞬态响应，并减少需要用于输出滤波器中的元件数量，从而提高功率密度。在多相vcore应用中，这对于实现尽可能高的功率密度是至关重要的。
此产品已获得无卤素认证，并符合RoHS指令2002/95/EC。样品现已可供订购，将于2011年6月开始量产，大宗订货将提供十周交货期。
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