人物使用新款Vishay N沟道功率MOSFET刷新开关电源最低导通电阻记录图解其在基本工作原理框图
他发布了两款新型40V和60V N沟道TrenchFET功率MOSFET——SiR640DP和SiR662DP。这些器件采用SO-8或PowerPAK SO-8的封装，具有业内最低的导通电阻，并且在栅极电荷与导通电阻之间表现出最佳的关系，即优值系数。其中，40 V SiR640DP在10V和4.5V下的导通电阻分别为1.7mΩ和2.2mΩ，在相同条件下的FOM（总体性能指标）分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。相比于竞争对手的MOSFET，4.5V下其导通电阻降低了4%，而FOM则有15.5%的降低。在60V SiR662DP中，它在10V下与最接近同类产品相比，其10V下的导通电阻有3.5%的降低，而4.5V时则达到27%；此外，10V及4.5V下的FOM也有23%及57%的大幅度减少。这两款设备在整个工作范围内都能够提供较高效能，因为它们具有较小的损耗。
生产过程中，这些芯片采用了一种新的硅制造技术，该技术通过精心设计沟槽密度以及特殊栅极结构来实现。此举对于设计者来说意味着更小规模的热量产生，从而可以显著提高系统效率并节省能源尤其是在负载重大的情况下。此外，由于它们的小尺寸，可以有效地减少开关应用中的损耗，使得它适合用于轻载或待机模式。由于这一特点，它们还使得设计者能够将系统功率密度提升到更高水平，同时也能实现更绿色的应用方案。
这两款MOSFET适用于DC/DC转换器中的次级侧同步整流、初级侧开关，以及其他如负载模块、驱动电子控制单元等多种场景，还可作为替代机械继電器使用。典型终端产品包括通信设备、工业自动化系统、专业游戏机、高可靠性不间断供电解决方案(UPS)以及消费品等领域。
由于这些MOSFET仅需一个标准数字逻辑给数字逻辑驱动，这意味着无需额外空间去寻找或者分配一个专门用以供给高速PWM IC所需要的一条独立线路。而这种配置进一步减少了栅极驱动所产生的额外成本。
最后，这两个新型号经过100％测试，以确保其符合IEC 61249-2-21无卤素规定，并满足欧盟RoHS指令2002/95/EC要求。他目前已经开始向客户提供样品，并计划进行大规模生产，其中首批订单预计会在十六周后送达市场上。
