人物在国家级电力期刊排名中引领潮流Vishay新款N沟道功率MOSFET再次刷新业内最低导通电阻记录
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Vishay发布了两款新型40V和60V N沟道TrenchFET功率MOSFET，分别为SiR640DP和SiR662DP。这些器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装，并且在导通电阻和优值系数方面实现了业界的最低水平。在10V下，40 V SiR640DP的导通电阻为1.7mΩ，其在4.5V下的导通电阻仅比竞争产品低4%；其FOM（频率乘积）则比竞争产品低15.5%。而60V SiR662DP在10V下的导通电阻为2.7mΩ，在4.5V下仅比同档次MOSFET低27%，其FOM也相应降至57%。
这两款器件采用了一种新的硅制造技术，该技术通过优化沟槽密度以及特殊栅极结构来提高性能。这意味着设计者可以减少传导损耗，从而降低功耗，尤其是在重载条件下。此外，这些器件的高频特性使得设计者能够增加系统的功率密度，同时保持较低的功率消耗。
SiR662DP和SiR640DP适用于DC/DC转换器中的次级侧同步整流、初级侧开关、负载点模块、电机驱动、桥式逆变器等应用场景。它们还可替代机械继电器，是通信设备、工业自动化设备、专业游戏机及消费类电子产品如UPS系统等领域不可或缺的一部分。
由于这两款MOSFET支持4.5伏特工作模式，它们可以直接从现有的数字逻辑供给单一5伏特电源轨上获得动力，这样不需要额外空间去寻找符合10伏特要求的空间。此外，由于它们使用更高效且成本更低的心元控制IC，可以进一步减少能耗并降低成本。
所有这些新型MOSFET都经过100%的手工测试，并满足无卤素标准IEC 61249-2-21，以及RoHS指令2002/95/EC规定。而且，它们现在已经开始量产，并提供样品服务，大宗订购将有16周的交货时间。
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