人物在反激式开关电源详解中使用Vishay新款N沟道功率MOSFET再次刷新业内最低导通电阻记录
我刚刚得知Vishay发布了两款新型的40V和60V N沟道TrenchFET功率MOSFET，分别是SiR640DP和SiR662DP。这些器件采用了SO-8或PowerPAK SO-8的封装，具有业内最低的导通电阻以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。
特此，我要分享一下这两款MOSFET在10V和4.5V下的表现。40 V SiR640DP在10V下的导通电阻为1.7mΩ，在4.5V下为2.2mΩ，而对应的FOM（参数优化指标）分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。这意味着它在4.5V下比竞争者减少了4%的导通电阻，并且在4.5V下的FOM比竞争者低15.5%。
同样地，60 V SiR662DP在10V下的导通电阻为2.7 mΩ，在4.5 V下则是3.5 mΩ，对应的 FOM 分别为172.8 mΩ-nC 和 105 mΩ-nC。相对于同档次MOSFET，这款器件在10 V 和 4.5 V 下分别有3% 和 27% 的降低，以及23% 和 57% 的降低于对应竞品的 FOM。
这些特点使得这两个新型号能够减少开关损耗，无论是在其整个工作范围还是特殊情况下。此外，它们还采用了一种新的硅制造技术，这一技术结合了高密度沟槽结构及特别设计栅极，使得它们能够提供更好的性能。
对于设计师而言，更低的导通电阻意味着更小量级传输损耗，从而降低整体能效，无论是在重载还是其他条件下。而其较低的地频性能则适合轻负载或待机状态。在高速应用中，高频率允许系统实现更高功率密度，同时保持绿色能源标准。此外，它们适用于DC/DC转换器、AC/DC转换器、桥式逆变器等多种场景。
由于它们以仅需额外0,6伏特供电即可工作，这使得许多设计师可以使用现有的数字逻辑供给轨上的标准五伏直流源，无需分配额外空间来支持十伏直流源。此外，还可以大幅降低驱动损失并使用成本更便宜但能提供相同功能的小于五伏PWM IC进行控制操作。
最后，由于经过严格测试并符合IEC61249-21无卤素规定以及RoHS指令200295/EC要求，用户不必担心环境影响的问题。这两款芯片目前已经开始量产，并且供应商正在准备采样版本，其大批量订购将会需要十六周时间来完成交货。
