人物使用新款Vishay N沟道功率MOSFET打破最低导通电阻记录提升电子元器件应用效率
他发布了两款新型40V和60V N沟道TrenchFET功率MOSFET——SiR640DP和SiR662DP。这些器件采用SO-8或PowerPAK SO-8的封装，展现出业界最低的导通电阻以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。在10V和4.5V下，40 V SiR640DP的导通电阻分别为1.7mΩ和2.2mΩ，而在同样的条件下，其FOM分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。相比于竞争对手的MOSFET，在4.5V下的导通电阻降低了4%，而在4.5V下的FOM则有15.5%降低。
60 V SiR662DP在10V时的导通电阻是2.7mΩ，在4.5V时为3.5mΩ；其对应的FOM分别为172.8 mΩ-nC 和 105 mΩ-nC。这意味着它相对于同类别竞争者在10V下的导通电阻降低了3.5%，27%；而在相同条件下的FOM分别减少23%，57%。整体上，这些特性使得这两款器件能够减少开关损耗，无论是在整个工作范围内还是局部应用中。
生产过程中，他采用了一种新的硅制造技术，该技术结合了优化的沟槽密度与特殊栅极结构设计。在设计师看来，更小化的是传输损耗，从而更有效地节约能量，尤其是在重负载的情况下。而对于高频开关应用，它们提供更小化高频开关损耗，使得系统功率密度可以增加，同时实现既绿色又经济效益的人口群方案。
SiR662DP 和 SiR640DP 适用于 DC/DC 转换器中的次级侧同步整流、初级侧开关，以及负载点模块、驱动机制、桥式逆变器等场合，并且可替代机械继电器。此外，这些芯片适用于通信设备、工业自动控制系统、高性能游戏机、无间断供電（UPS）系统及消费电子产品。
由于 MOSFET 的工作压力仅需 4,500 毫伏，便能直接从数字逻辑部分共享 500 毫伏供给线路，无需再额外配置一个专用的 1000 毫伏供给线路。此外，以较低成本获得更佳效率，因为他们能够使用比较便宜但效率不错的小信号 PWM IC 来驱动它们所需的小信号 PWM IC。
此外，他还确保通过进行100% Rg and UIS 测试来验证所有产品质量并符合IEC61249-2-21 无卤素规定，并且符合RoHS指令2002/95/EC。他现在已经提供样品，并已开始批量生产，有意大规模订购客户将会收到货物约16周后。
