人物在多电源电路中应用Vishay新款N沟道功率MOSFET打破了业界最低导通电阻记录
他发布了两款新型40V和60V N沟道TrenchFET功率MOSFET，分别为SiR640DP和SiR662DP。这两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装，不仅具有业内最低的导通电阻，而且在导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数上也表现出色。对于40 V SiR640DP，它在10V和4.5V下的导通电阻分别为1.7mΩ和2.2mΩ，在10V和4.5V下的FOM（总体性能指标）分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。在4.5V下，SiR640DP的导通电阻比竞争对手产品低4%，而FOM则低15.5%。
同样，对于60V SiR662DP，它在10V下有2.7mΩ的导通电阻，在4.5V下有3.5mΩ；相应地，其在10V下的FOM是172.8mΩ-nC，而在4.5V下是105mΩ-nC。在整个工作范围内，这些器件都能提供极低的开关损耗。制造过程中采用的新硅技术提高了沟槽密度并优化了栅极结构，从而使得设计者可以通过更高效的转换来降低传输损耗，并减少重载情况下的功耗。此外，这样的性能还能够减少开关应用中的高频损耗，使得系统更加节能。
这两款MOSFET适用于DC/DC转换器中的次级侧同步整流、初级侧开关、负载点模块、电机驱动、桥式逆变器以及替代机械继電器等场景。它们广泛应用于通信设备、工业自动化系统、中高端游戏机、不间断供電系統(UPS)及消费电子产品。由于其工作压力设定为仅需一个标准数字逻辑供给网络即可操作，设计师无需再寻找额外空间以容纳单独用于MOSFET驱动的一条专用线路。此外，由于只需要较低成本且更易获取的五伏直流稳压控制IC进行调控，因此降低了整体成本。
这些芯片经过全面的RG测试（resistance to ground）与UISTests（uninterruptible power supply test），并符合IEC61249-2-21无卤素规格，还满足2002/95/EC环境保护法案所述RoHS指令要求。目前已经开始量产，并且接受订货，其中大宗订单将会按照十六周周期交付样品及批量生产服务给客户。
