人物探索开关电源基础知识Vishay新款N沟道功率MOSFET打破记录低导通电阻
• 阅读 0
他发布了两款新型40V和60V N沟道TrenchFET功率MOSFET——SiR640DP和SiR662DP。这些器件采用SO-8或PowerPAK SO-8的封装，拥有业界最低的导通电阻以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。其中，40 V SiR640DP在10V和4.5V下的导通电阻分别为1.7mΩ和2.2mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC；而60V SiR662DP在10V和4.5V下的导通电阻分别为2.7mΩ和3.5mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为172.8mΩ-nC和105mΩ-nC。在整个工作范围内，这些器件的低导通电阻与低FOM可以显著减少开关损耗。
这两款器件在制造过程中采用了一种新的硅技术，该技术利用了优化的沟槽密度以及特殊栅极结构。在设计者看来，更低的导通电阻意味着更高效能，从而降低功耗，尤其是在重载条件下。而且，由于其较小的FOM，它们能够进一步减少高频应用中的开关损耗，同时使得设计者能够增加系统功率密度或实现更绿色的方案。
这两个MOSFET适用于DC/DC转换器、AC/DC转换器等场合，以及负载点模块、机车驱动、桥式逆变器及替代机械继電器等应用领域。它们广泛应用于通信设备、高级游戏机、UPS系统以及消费电子产品。此外，由于它们支持仅需4.5伏特供电，这对于许多设计师来说是大有裨益，因为他们可以利用现有的数字逻辑供应轨，而无需额外空间或寻找合适容量。
经过100%测试并符合IEC 61249-2-21无卤素规定及RoHS指令2002/95/EC标准，SiR662DP与SiR640DP目前已提供样品，并且已经开始批量生产，大宗订单可享受16周以上供货周期。
标签：
白家电
